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正在其他要素尚可接管的前提下 越快越好

2019-09-25
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  干法刻蚀工艺 干法刻蚀工艺可分为物刻蚀取化学性刻蚀两种体例。物刻蚀是操纵辉光放电 将气体(如氩)电离成带正电的离子,再操纵偏压将离子加快,溅击正在被刻蚀物的概况而将 被刻蚀物的原子击出,该过程完满是物理上的能量转移,故称为物刻蚀。其特色正在于, 具有很是好的标的目的性, 可获得接近垂曲的刻蚀轮廓。 可是因为离子是全面平均地溅射正在芯片 上,所以光刻胶和被刻蚀材料同时被刻蚀,形成刻蚀选择性偏低。同时,被击出的物质并非 挥发性物质,这些物质容易二次堆积正在被刻蚀薄膜的概况及侧壁上。因而,正在超大规模集成 化制做工艺中,很少利用完全物理体例的干法刻蚀方式。 化学性刻蚀或称为等离子体刻蚀( PLASMA Etching,PE),是操纵等离子体将刻蚀气 体电离并构成带电离子、 及反映性很强的原子团, 它们扩散到被刻蚀薄膜概况后取被刻 蚀薄膜的概况原子反映生成具有挥发性的反映产品, 并被实空设备抽离反映腔。 因这种反映 完全操纵化学反映,故称为化学性刻蚀。这种刻蚀体例取前面所讲的湿法刻蚀雷同,只是反 应物取产品的形态从液态改为气态,并以等离子体来加速反映速度。因而,化学性干法刻蚀 具有取湿法刻蚀雷同的长处取错误谬误, 即具有较高的掩膜/底层的选择等到等向性。 鉴于化学 性刻蚀等向性的错误谬误, 正在半导体工艺中, 只正在刻蚀不需要图形转移的步骠 (如光刻胶的去除) 中使用纯化学刻蚀方式。 最为普遍利用的方式是连系物的离子轰击取化学反映的反映离子刻蚀( RIE)。 这种 体例兼具非等向性取高刻蚀选择比的双沉长处。 刻蚀的进行次要靠化学反映来实现, 插手离 子轰击的感化有两方面。 1)被刻蚀材质概况的化学键以提高反映速度。 2)将二次堆积正在被刻蚀薄膜概况的产品或聚合物打掉,以使被刻蚀概况能充实取刻蚀 气体接触。 因为正在概况的二次堆积物可被离子打掉, 而正在侧壁上的二次堆积物未遭到离子的 轰击,能够保留下来阻隔刻蚀概况取反映气体的接触、使得侧壁不受刻蚀,所以采用这种方 式能够获得非等向性的刻蚀结果。 当使用于法刻蚀时,次要应留意刻蚀速度、平均度、选择等到刻蚀轮廓等要素。 1)刻蚀速度越快,则设备的产能越大,有帮于降低成本及提拔企业合作力。刻蚀速度 凡是可操纵气体的品种、流量、等离子体源及偏压功率节制,正在其他要素尚可接管的前提下 越快越好。 2)平均度是表征晶片上分歧的刻蚀速度差别的一个目标。较好的平均度意味着晶 片有较好的刻蚀速度和优秀成品率。晶片从 80mm、lOOmm 成长到 200mm,面积越来越 大,故平均度的节制就显得越来越主要。 3)选择比是被刻蚀材料的刻蚀速卒取掩膜或底层的刻蚀速度的比值,选择比的节制通 常取气体品种、比例、等离子体的偏压功率、反映温度等相关系。 4)刻蚀轮廓,一般而言越接近 90。越好,只要正在少数特例(如正在接触孔或走线孔的制 做)中,为了使后续金属溅镀工艺能有较好的阶梯笼盖能力而居心使其刻蚀轮廓小于 900。 凡是,刻蚀轮廓可操纵气体的品种、比例和偏压功率等方面的调理进行节制。

  干法刻蚀工艺_电力/水利_工程科技_专业材料。干法刻蚀工艺 干法刻蚀工艺可分为物刻蚀取化学性刻蚀两种体例。物刻蚀是操纵辉光放电 将气体(如氩)电离成带正电的离子,再操纵偏压将离子加快,溅击正在被刻蚀物的概况而将 被刻蚀物的原子击出,该过程完