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微电子IC造造工艺以及微纳造造工艺中的一种相当

2019-09-18
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  湿法刻蚀是一个纯粹的化学反映过程,是指操纵溶液取预刻蚀材料之间的化学反映往来来往除未被掩蔽膜材料掩蔽的部门而达到刻蚀目标。其特点是:

  干法刻蚀品种良多,包罗光挥发、气相侵蚀、等离子体侵蚀等。其长处是:各向同性好,选择比高,可控性、矫捷性、反复性好,细线条操做平安,易实现从动化,无化学废液,处置过程未引入污染,干净度高。错误谬误是:成本高,设备复杂。干法刻蚀次要形式有纯化学过程(如屏障式,下逛式,桶式),纯物理过程(如离子铣),物理化学过程,常用的有反映离子刻蚀RIE,离子束辅帮基刻蚀ICP等。

  干法刻蚀体例良多,一般有:溅射取离子束铣蚀, 等离子刻蚀(Plasma Etching),高压等离子刻蚀,高密度等离子体(HDP)刻蚀,反映离子刻蚀(RIE)。别的,化学机械抛光CMP,剥离手艺等等也可当作是广义刻蚀的一些手艺。

  刻蚀,英文为Etch,它是半导体系体例制工艺,微电子IC制制工艺以及微纳制制工艺中的一种相当主要的步调。是取光刻相联系的图形化(pattern)处置的一种次要工艺。所谓刻蚀,现实上狭义理解就是光刻侵蚀,先通过光刻将光刻胶进行光刻处置,然后通过其它体例实现侵蚀处置掉所需除去的部门。跟着微制制工艺的成长,广义上来讲,刻蚀成了通过溶液、反映离子或其它机械体例来剥离、去除材料的一种统称,成为微加工制制的一种普适叫法。

  刻蚀最简单最常用分类是:干法刻蚀湿法刻蚀。显而易见,它们的区别就正在于湿法利用溶剂或溶液来进行刻蚀。